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Detail word “化合物半導体”

化合物半導体

化合物半導体（かごうぶつはんどうたい、英：Compound Semiconductor）とは、2種類以上の元素が結合してできる半導体である。こうした半導体は基本的に共有結合結晶であり、結晶構造は閃亜鉛鉱型構造やウルツ鉱型構造が多い。またアモルファス半導体となるものもある。化合物半導体

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窒化物半導体

窒化物半導体 (ちっかぶつはんどうたい) は、III-V族半導体に於いて、V族元素として窒素を用いた半導体。窒化アルミニウム(AlN)、窒化ガリウム(GaN)、窒化インジウム(InN)が代表である。窒化アルミニウムは絶縁体ではあるが、同列に論じられる。従来の半導体に比べてバンドギャップの大きいワイドギャップ半導体であり、また

酸化物半導体

(Application of Amorphous Oxide Semiconductor for e-papers)." ^ Kumomi, H. "アモルファス酸化物半導体 TFT とその OLED 駆動素子への応用 (Amorphous Oxide Semiconductor-Based

半導体

半導体の特徴は、固体のバンド理論によって説明される。なお、バンド理論を用いれば、半導体とは、価電子帯を埋める電子の状態は完全に詰まっているものの、禁制帯を挟んで、伝導帯を埋める電子の状態は存在しない物質として定義される。一般的に、抵抗は電流と電圧に関して比例的な関係を満たす、すなわちオームの法則

ヘテロ接合 (半導体)

ヘテロ接合（ヘテロせつごう、英語：heterojunction）とは、異なる半導体同士の接合である。通常は格子整合系または格子定数が近い材料系で作られる。半導体はそれぞれ、固有のエネルギーバンドをもつ。このため、多くの場合、ヘテロ接合では、バンドギャップの違う半導体を接合する

ホモ接合 (半導体)

ホモ接合（ホモせつごう、英語：homojunction）とは、同じ半導体同士の接合である。ホモを進化させた構造。主に、p型ホモフェットとn型ホモフェットに分類される。近年の半導体技術に期待が高まりつつある。 [脚注の使い方] ^ “3分でわかる技術の超キホン「ダブルヘテロ接合」とは？（ホモ接合／ヘテロ接合との比較）

不純物半導体

n、価電子帯の正孔濃度を p、イオン化したドナー濃度を ND、イオン化したアクセプター濃度を NA とすると、以下の電荷中性の条件が成り立つ。 n + N A = p + N D {\displaystyle n+N_{A}=p+N_{D}} ドーピングした不純物が全てイオン化している場合を考える。非縮退半導体の伝導帯の電子濃度

ペロブスカイト半導体

ペロブスカイト半導体（ペロブスカイトはんどうたい）とは、ペロブスカイト構造(有機-無機複合層状ペロブスカイト化合物)を有する半導体で太陽電池や半導体レーザー等の次世代光半導体素子として期待される。ヨウ化スズを無機骨格とし、有機カチオンと組み合わせた層状化合物は、電子構造（バンドギャップやバンド幅）

EDA (半導体)

に代わって言語記述で設計する手法が始まった。1980年代後半には、そのHDLから論理回路（ネットリスト）を自動生成するシステムが実用化された。この技術は論理合成と呼ばれ、シノプシスにより製品化された。それぞれのツールの性能向上が続くなかで、半導体製造工程の微細化による様々な問題を解決するためのツ

半導体メモリ

数百から数千回程度の消去と再書込みが可能 UV-EPROM : 中央に空いた窓からチップに紫外線を照射することで消去する。消去後は再書き込み可能。紫外線を照射する消去装置や書き込み装置が必要 E-EPROM : 電気的に消去と書き込みが可能なもの。過去の製品では、消去・書き込み

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