磁気抵抗メモリ(じきていこうメモリ、英: Magnetoresistive Random Access Memory、MRAM、エムラム)は、磁気トンネル接合(Magnetic tunnel junction、MTJ)を構成要素とする不揮発性メモリである。SRAMやDRAMなどの電荷を情報記憶に用い
電気抵抗率の比較
電気抵抗率の比較(でんきていこうりつのひかく)では、電気抵抗率の比較ができるよう、昇順に表にする。 導体の長さ L {\displaystyle L} [m]、導体の断面積 S {\displaystyle S} [m2]の電気抵抗 R {\displaystyle R} [Ω]の値は、次式で示される。
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